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高效的智能手机SD闪存供电方法 - 消费电子 - 免费猫

发布时间:2020-02-17 13:15:00 阅读: 来源:验布机厂家

高效的智能手机SD闪存供电方法 - 消费电子 - 电子工程网

虽然选择一个降压转换器来取代LDO似乎意义不大,但考虑到降压转换器必须能在极高占空比下工作,这就变得十分重要了。如果降压转换器的输出设定为2.9V,电池电压低到3.3V,降压转换器在88%的占空比下工作。在某些负载和输入电压条件下,降压转换器甚至会被迫停止开关,并在100%占空比下工作。若手机开始发射GSM脉冲,在低电池电压(VVBAT)情况下,这种情形会变得更加严重。GSM脉冲可能高至2A,而且在这些脉冲期间,锂离子电池的输出阻抗会使电池电压下降400mV。对LDO而言, VVBAT的突然下降是有益的,因为LDO总是工作在线性区域。但对降压转换器,情况就不同了,因为它们必须逐渐从开关状态转变为100%导通,一旦电池电压回到3.3V,就再一次回到开关状态。在这个期间,高侧器件完全导通,降压转换器的输出电压仅为VVBAT– RDS(ON) *I – DCR*I,其中RDS(ON)是高侧FET的导通阻抗,DCR是电感的串行阻抗,I是存储器负载电流。

FAN5362经过专门设计以处理上述最小过冲/下冲。此外,FET的控制机制和RDS(ON) 也经过精心设计,以确保输出电压绝不低于2.7V,甚至包括了线路和负载瞬态响应。对存储器来说,这点至关重要,因为SD规范2.0版要求工作电压范围在2.7至3.6V之间。

虽然工艺几何尺寸的进步满足了对超紧凑型、低价SD存储器的需求,但这种大容量器件也带来了功耗问题。利用专门针对这类应用而设计的降压转换器 FAN5362等产品来替代目前的LDO,可以解决这一难题。图6是完整的FAN5362功率解决方案的典型原理示意图和PCB版图。

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